BSP149 E6327 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | BSP149 E6327 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 69650 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | BSP149 E6327.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BSP149 E6327 в течение 24 часов.
- номер части
- BSP149 E6327
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 200V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 660mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 0V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 400µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 14nC @ 5V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 430pF @ 25V
- Функция FET
- Depletion Mode
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.8W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-SOT223-4
- Упаковка / чехол
- TO-261-4, TO-261AA
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- BSP149 E6327
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "BSP1"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 |
| BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 |
| BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 |
| BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 |
| BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 |
| BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 |
| BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| BSP126,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 |