GP1M006A070F Global Power Technologies Group дистрибьютор
| Номер детали производителя | GP1M006A070F |
|---|---|
| Производитель / Марка | Global Power Technologies Group |
| Доступное количество | 214710 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 700V 5A TO220F |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | GP1M006A070F.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение GP1M006A070F в течение 24 часов.
- номер части
- GP1M006A070F
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 700V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 1.65 Ohm @ 2.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 23nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1500pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 39W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-220F
- Упаковка / чехол
- TO-220-3 Full Pack
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- GP1M006A070F
Связанные компоненты сделаны Global Power Technologies Group
Связанные ключевые слова "GP1M"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| GP1M003A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK |
| GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK |
| GP1M003A050FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F |
| GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 |
| GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK |
| GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK |
| GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F |
| GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 |
| GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK |
| GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK |
| GP1M003A090PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK |