Номер детали производителяEPC2102ENGRT
Производитель / МаркаEPC
Доступное количество173190 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеMOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию EPC2102ENGRT.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение EPC2102ENGRT в течение 24 часов.

номер части
EPC2102ENGRT
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
23A (Tj)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
830pF @ 30V
Мощность - макс.
-
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Упаковка / чехол
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
EPC2102ENGRT

Связанные компоненты сделаны EPC

Связанные ключевые слова "EPC2"

номер части производитель Описание
EPC2 ALTERA (INTEL) SRAM-Based LUT Devices IC
EPC2-TC32 ALTERA (INTEL) EPC2-TC32 QFP IC
EPC2-TI32 ALTERA (INTEL) EPC2-TI32 Original IC
EPC2001 EPC TRANSISTOR GAN 100V 25A BUMPED DIE
EPC2001C EPC TRANSISTOR GAN 100V 36A BUMPED DIE
EPC2007 EPC TRANSISTOR GAN 100V 6A BUMPED DIE
EPC2007C EPC TRANSISTOR GAN 100V 6A BUMPED DIE
EPC2010 EPC TRANSISTOR GAN 200V 12A BUMPED DIE
EPC2010C EPC TRANSISTOR GAN 200V 22A BUMPED DIE
EPC2012 EPC TRANSISTOR GAN 200V 3A BUMPED DIE
EPC2012C EPC TRANSISTOR GAN 200V 5A BUMPED DIE
EPC2014 EPC TRANSISTOR GAN 40V 10A BUMPED DIE