ZXMNS3BM832TA Diodes Incorporated дистрибьютор
| Номер детали производителя | ZXMNS3BM832TA |
|---|---|
| Производитель / Марка | Diodes Incorporated |
| Доступное количество | 75220 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | ZXMNS3BM832TA.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение ZXMNS3BM832TA в течение 24 часов.
- номер части
- ZXMNS3BM832TA
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 700mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 2.9nC @ 4.5V
- Vgs (Макс.)
- ±12V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 314pF @ 15V
- Функция FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 8-MLP, MicroFET (3x2)
- Упаковка / чехол
- 8-VDFN Exposed Pad
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- ZXMNS3BM832TA
Связанные компоненты сделаны Diodes Incorporated
Связанные ключевые слова "ZXMN"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| ZXMN 2A02 | FAIRCHILD | ZXMN 2A02 FAIRCHILD IC MSOP-8 |
| ZXMN0545FFTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 |
| ZXMN0545G4TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 |
| ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 |
| ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC |
| ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC |
| ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 |
| ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 |
| ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 |
| ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK |