DMTH8012LK3-13 Diodes Incorporated дистрибьютор
| Номер детали производителя | DMTH8012LK3-13 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Diodes Incorporated |
| Доступное количество | 21010 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 80V 50A TO252 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | DMTH8012LK3-13.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DMTH8012LK3-13 в течение 24 часов.
- номер части
- DMTH8012LK3-13
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 80V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 16 mOhm @ 12A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1949pF @ 40V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2.6W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- TO-252, (D-Pak)
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- DMTH8012LK3-13
Связанные компоненты сделаны Diodes Incorporated
,TO-226_bentlead.jpg "ZSR900CSTZ")
Связанные ключевые слова "DMTH"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB |
| DMTH10H005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB |
| DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB |
| DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB |
| DMTH10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 |
| DMTH10H010SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50 |
| DMTH10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 |
| DMTH10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI |
| DMTH10H025LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V TO252 |
| DMTH10H030LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 28A TO252 |
| DMTH3002LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 100A POWERDI |
| DMTH3004LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 21A TO252 |