DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated дистрибьютор
| Номер детали производителя | DMN10H099SK3-13 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Diodes Incorporated |
| Доступное количество | 149450 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | DMN10H099SK3-13.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DMN10H099SK3-13 в течение 24 часов.
- номер части
- DMN10H099SK3-13
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 17A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 80 mOhm @ 3.3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 25.2nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1172pF @ 50V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 34W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- TO-252
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- DMN10H099SK3-13
Связанные компоненты сделаны Diodes Incorporated
Связанные ключевые слова "DMN10"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| DMN100-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
| DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6 |
| DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 |
| DMN1004UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 |
| DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 |
| DMN1004UFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 |
| DMN1004UFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 |
| DMN1006UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 |
| DMN1008UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH30V SC-59 |
| DMN1008UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH30V SC-59 |
| DMN1016UCB6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6 |
| DMN1017UCP3-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010 |