CY7C1146V18-333BZXC CYPRESS дистрибьютор
| Номер детали производителя | CY7C1146V18-333BZXC |
|---|---|
| Производитель / Марка | CYPRESS |
| Доступное количество | 45000 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency IC |
| Категория продукта | Cypress IC |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | CY7C1146V18-333BZXC.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение CY7C1146V18-333BZXC в течение 24 часов.
- номер части
- CY7C1146V18-333BZXC
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Упаковка / Чехол
- Original
- Серии
- CY7C114
- Страна происхождения
- contact us
- Статус детали
- Active
- Основной процессор
- -
- Размер ядра
- -
- скорость
- -
- TYPE
- -
- связь
- -
- вход
- -
- Периферийные устройства
- -
- Вывод
- -
- Количество входов / выходов
- -
- Размер памяти программы
- -
- Тип памяти программы
- -
- Размер EEPROM
- -
- Размер оперативной памяти
- -
- Напряжение - Поставка
- -
- Особенности
- -
- Рабочая Температура
- contact us
- Пакет устройств поставщика
- -
- Другая часть номер
- CY7C1146V18-333BZXC
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- CY7C1146V18-333BZXC
Связанные компоненты сделаны CYPRESS
Связанные ключевые слова "CY7C11"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| CY7C1141V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143KV18-400BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143KV18-400BZI | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143KV18-450BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |