Número da peça

SI4886DY-T1-GE3

Status de produção (ciclo de vida)

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Tempo de espera do fabricante

6-8 weeks

Condição

New & Unused, Original Sealed

Forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Status da Parte

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET Feature

-

Dissipação de energia (máx.)

1.56W (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos de fornecedores

8-SO

Pacote / Caso

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso

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Aplicação

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Peça de reposição

SI4886DY-T1-GE3