Número da peça

SI4448DY-T1-GE3

Status de produção (ciclo de vida)

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Tempo de espera do fabricante

6-8 weeks

Condição

New & Unused, Original Sealed

Forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Status da Parte

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

12V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 20A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12350pF @ 6V

FET Feature

-

Dissipação de energia (máx.)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos de fornecedores

8-SO

Pacote / Caso

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso

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Aplicação

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Peça de reposição

SI4448DY-T1-GE3