Número da peça

SI4409DY-T1-E3

Status de produção (ciclo de vida)

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Tempo de espera do fabricante

6-8 weeks

Condição

New & Unused, Original Sealed

Forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Status da Parte

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

150V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

332pF @ 50V

FET Feature

-

Dissipação de energia (máx.)

2.2W (Ta), 4.6W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos de fornecedores

8-SO

Pacote / Caso

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso

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Aplicação

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Peça de reposição

SI4409DY-T1-E3