Número da peça

SI2309CDS-T1-E3

Status de produção (ciclo de vida)

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Tempo de espera do fabricante

6-8 weeks

Condição

New & Unused, Original Sealed

Forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Status da Parte

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

60V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

345 mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 30V

FET Feature

-

Dissipação de energia (máx.)

1W (Ta), 1.7W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos de fornecedores

SOT-23-3 (TO-236)

Pacote / Caso

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso

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Aplicação

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Peça de reposição

SI2309CDS-T1-E3