TK12E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número da peça do fabricante | TK12E60W,S1VX |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Quantidade disponível | 111880 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | TK12E60W,S1VX.pdf |
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- Número da peça
- TK12E60W,S1VX
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 600V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 11.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 300 mOhm @ 5.8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.7V @ 600µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 25nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 890pF @ 300V
- FET Feature
- Super Junction
- Dissipação de energia (máx.)
- 110W (Tc)
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- TO-220
- Pacote / Caso
- TO-220-3
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- TK12E60W,S1VX
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