Número da peça do fabricanteTK12E60W,S1VX
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Quantidade disponível111880 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
TK12E60W,S1VX
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
11.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 300V
FET Feature
Super Junction
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores
TO-220
Pacote / Caso
TO-220-3
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
TK12E60W,S1VX

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