Número da peça do fabricanteTK10Q60W,S1VQ
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Quantidade disponível98230 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
TK10Q60W,S1VQ
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 300V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores
I-PAK
Pacote / Caso
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
TK10Q60W,S1VQ

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