BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número da peça do fabricante | BAS316,H3F |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Quantidade disponível | 80450 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC |
| Categoria de Produto | Diodos - Rectificadores - Único |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | BAS316,H3F.pdf |
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- Número da peça
- BAS316,H3F
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo de diodo
- Standard
- Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.)
- 100V
- Corrente - Média Rectificada (Io)
- 250mA
- Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se
- 1.25V @ 150mA
- Rapidez
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Tempo de recuperação inversa (TRR)
- 3ns
- Corrente - vazamento inverso @ Vr
- 200nA @ 80V
- Capacitance @ Vr, F
- 0.35pF @ 0V, 1MHz
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- SC-76, SOD-323
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- USC
- Temperatura de operação - junção
- 150°C (Max)
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- BAS316,H3F
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