Número da peça

CSD19536KTT

Status de produção (ciclo de vida)

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Tempo de espera do fabricante

6-8 weeks

Condição

New & Unused, Original Sealed

Forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Status da Parte

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

100V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

200A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 50V

FET Feature

-

Dissipação de energia (máx.)

375W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos de fornecedores

DDPAK/TO-263-3

Pacote / Caso

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Peso

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Aplicação

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Peça de reposição

CSD19536KTT