SCTWA50N120 STMicroelectronics Distribuidor
| Número da peça do fabricante | SCTWA50N120 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | STMicroelectronics |
| Quantidade disponível | 69040 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | SCTWA50N120.pdf |
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- Número da peça
- SCTWA50N120
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 1200V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 65A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 69 mOhm @ 40A, 20V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 122nC @ 20V
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1900pF @ 400V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 318W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 200°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- HiP247™
- Pacote / Caso
- TO-247-3
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- SCTWA50N120
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