Número da peça do fabricanteHS8K11TB
Fabricante / MarcaRohm Semiconductor
Quantidade disponível216320 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
HS8K11TB
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
7A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 15V
Power - Max
2W
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
8-UDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos de fornecedores
HSML3030L10
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
HS8K11TB

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