Número da peça do fabricante2SK3666-3-TB-E
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Quantidade disponível31040 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveJFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Categoria de ProdutoTransistores - JFETs
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
2SK3666-3-TB-E
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Voltagem - Desagregação (V (BR) GSS)
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1.2mA @ 10V
Current Drain (Id) - Max
10mA
Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id
180mV @ 1µA
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4pF @ 10V
Resistência - RDS (Ligado)
200 Ohms
Power - Max
200mW
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos de fornecedores
3-CP
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
2SK3666-3-TB-E

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