JANTX2N6798U Microsemi Corporation Distribuidor
| Número da peça do fabricante | JANTX2N6798U |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Microsemi Corporation |
| Quantidade disponível | 193360 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | JANTX2N6798U.pdf |
Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para JANTX2N6798U dentro de 24 horas.
- Número da peça
- JANTX2N6798U
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Obsolete
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 200V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 5.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 420 mOhm @ 5.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 42.07nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 800mW (Ta), 25W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- 18-ULCC (9.14x7.49)
- Pacote / Caso
- 18-CLCC
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- JANTX2N6798U
Componentes relacionados feitos por Microsemi Corporation
Palavras-chave relacionadas para "JANT"
| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| JANT4N49 | Texas Instruments （TI） | JANT4N49 TI CAN6 IC |
| JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 |
| JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB |
| JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 |
| JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER |
| JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB |
| JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 |
| JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 |
| JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA |
| JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA |
| JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA |
| JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA |