JAN1N5809US Microsemi Corporation Distribuidor
| Número da peça do fabricante | JAN1N5809US |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Microsemi Corporation |
| Quantidade disponível | 167920 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF |
| Categoria de Produto | Diodos - Rectificadores - Único |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | JAN1N5809US.pdf |
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- Número da peça
- JAN1N5809US
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo de diodo
- Standard
- Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.)
- 100V
- Corrente - Média Rectificada (Io)
- 6A
- Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se
- 875mV @ 4A
- Rapidez
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Tempo de recuperação inversa (TRR)
- 30ns
- Corrente - vazamento inverso @ Vr
- 5µA @ 100V
- Capacitance @ Vr, F
- 60pF @ 10V, 1MHz
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- SQ-MELF, B
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- B, SQ-MELF
- Temperatura de operação - junção
- -65°C ~ 175°C
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- JAN1N5809US
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