Número da peça do fabricanteIPD80R900P7ATMA1
Fabricante / MarcaInfineon Technologies
Quantidade disponível143830 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados IPD80R900P7ATMA1.pdf

Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para IPD80R900P7ATMA1 dentro de 24 horas.

Número da peça
IPD80R900P7ATMA1
Status de produção (ciclo de vida)
Contact us
Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 500V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
PG-TO252-3
Pacote / Caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso
Contact us
Aplicação
Email for details
Peça de reposição
IPD80R900P7ATMA1

Componentes relacionados feitos por Infineon Technologies

Palavras-chave relacionadas para "IPD80"

Número da peça Fabricante Descrição
IPD800N06NGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
IPD80N04S306ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD80N04S306BATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL_30/40V
IPD80N06S3-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
IPD80R1K0CEBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
IPD80R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 17A TO252