IPB60R280P6ATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número da peça do fabricante | IPB60R280P6ATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Quantidade disponível | 114770 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH TO263-3 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | IPB60R280P6ATMA1.pdf |
Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para IPB60R280P6ATMA1 dentro de 24 horas.
- Número da peça
- IPB60R280P6ATMA1
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Not For New Designs
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 600V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 13.8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 280 mOhm @ 5.2A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 430µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 25.5nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1190pF @ 100V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 104W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- D²PAK (TO-263AB)
- Pacote / Caso
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- IPB60R280P6ATMA1
Componentes relacionados feitos por Infineon Technologies
Palavras-chave relacionadas para "IPB60"
| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3 |
| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 |
| IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3 |
| IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 |
| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3 |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK |
| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 |
| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |