BSC027N03S G Infineon Technologies Distribuidor
| Número da peça do fabricante | BSC027N03S G |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Quantidade disponível | 43640 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | BSC027N03S G.pdf |
Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para BSC027N03S G dentro de 24 horas.
- Número da peça
- BSC027N03S G
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Obsolete
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 30V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 25A (Ta), 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.7 mOhm @ 50A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 90µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 51nC @ 5V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 6540pF @ 15V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 2.8W (Ta), 89W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- PG-TDSON-8
- Pacote / Caso
- 8-PowerTDFN
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- BSC027N03S G
Componentes relacionados feitos por Infineon Technologies
Palavras-chave relacionadas para "BSC0"
| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON |
| BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND |
| BSC009NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 |
| BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 |
| BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON |
| BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 |
| BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 |
| BSC011N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON |
| BSC011N03LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 |
| BSC011N03LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |