Número da peça do fabricanteEPC2106
Fabricante / MarcaEPC
Quantidade disponível117010 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveTRANSISTOR GAN SYM 100V BUMPED DIE
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
EPC2106
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.73nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
75pF @ 50V
Power - Max
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
Die
Pacote de dispositivos de fornecedores
Die
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
EPC2106

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