EPC2037 EPC Distribuidor
| Número da peça do fabricante | EPC2037 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | EPC |
| Quantidade disponível | 27280 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | TRANSISTOR GAN 100V 550MOHM BUMPED DI |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | EPC2037.pdf |
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- Número da peça
- EPC2037
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 100V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 1.7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 550 mOhm @ 100mA, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 80µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 0.12nC @ 5V
- Vgs (Max)
- +6V, -4V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 14pF @ 50V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
-
- Temperatura de operação
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- Die
- Pacote / Caso
- Die
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- EPC2037
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| Número da peça | Fabricante | Descrição |
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