CY7C1150KV18-450BZC Cypress Semiconductor Corp Distribuidor
| Número da peça do fabricante | CY7C1150KV18-450BZC |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Cypress Semiconductor Corp |
| Quantidade disponível | 145320 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| Categoria de Produto | Memória |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | CY7C1150KV18-450BZC.pdf |
Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para CY7C1150KV18-450BZC dentro de 24 horas.
- Número da peça
- CY7C1150KV18-450BZC
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Obsolete
- Tipo de memória
- Volatile
- Formato de Memória
- SRAM
- Tecnologia
- SRAM - Synchronous, DDR II+
- Tamanho da memória
- 18Mb (512K x 36)
- Freqüência do relógio
- 450MHz
- Escreva tempo de ciclo - Palavra, Página
-
- Tempo de acesso
-
- Interface de Memória
- Parallel
- Tensão - Fornecimento
- 1.7 V ~ 1.9 V
- Temperatura de operação
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- 165-LBGA
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- 165-FBGA (13x15)
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- CY7C1150KV18-450BZC
Componentes relacionados feitos por Cypress Semiconductor Corp
Palavras-chave relacionadas para "CY7C11"
| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| CY7C1141V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143KV18-400BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143KV18-400BZI | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143KV18-450BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |