부품 번호

SI6467BDQ-T1-GE3

생산 상태 (수명주기)

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제조업체 리드 타임

6-8 weeks

조건

New & Unused, Original Sealed

배송 방식

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

부품 상태

Obsolete

FET 유형

P-Channel

과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)

12V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.8A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.5 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

850mV @ 450µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 발산 (최대)

1.05W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형

Surface Mount

공급 업체 장치 패키지

8-TSSOP

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

무게

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