부품 번호

SI3853DV-T1-E3

생산 상태 (수명주기)

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제조업체 리드 타임

6-8 weeks

조건

New & Unused, Original Sealed

배송 방식

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

부품 상태

Obsolete

FET 유형

P-Channel

과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)

20V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

500mV @ 250µA (Min)

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 발산 (최대)

830mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형

Surface Mount

공급 업체 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

무게

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