제조업체 부품 번호RS1E350BNTB
제조업체 / 브랜드Rohm Semiconductor
사용 가능한 수량102470 Pieces
단가Quote by Email ([email protected])
간단한 설명MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
제품 카테고리트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
무연 여부 / RoHS 준수 여부Lead free / RoHS Compliant
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 RS1E350BNTB.pdf

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부품 번호
RS1E350BNTB
생산 상태 (수명주기)
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제조업체 리드 타임
6-8 weeks
조건
New & Unused, Original Sealed
배송 방식
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
35A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
185nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7900pF @ 15V
FET 기능
-
전력 발산 (최대)
35W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
8-HSOP
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
무게
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RS1E350BNTB

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