부품 번호

IRLW510ATM

생산 상태 (수명주기)

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제조업체 리드 타임

6-8 weeks

조건

New & Unused, Original Sealed

배송 방식

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

부품 상태

Obsolete

FET 유형

N-Channel

과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)

100V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 2.8A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

235pF @ 25V

FET 기능

-

전력 발산 (최대)

3.8W (Ta), 37W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

실장 형

Through Hole

공급 업체 장치 패키지

I2PAK (TO-262)

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

무게

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