제조업체 부품 번호NAND01GR3B2CZA6E
제조업체 / 브랜드Micron Technology Inc.
사용 가능한 수량129690 Pieces
단가Quote by Email ([email protected])
간단한 설명IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
제품 카테고리메모리
무연 여부 / RoHS 준수 여부Lead free / RoHS Compliant
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 NAND01GR3B2CZA6E.pdf

아래의 문의 양식을 작성해주십시오. NAND01GR3B2CZA6E 24 시간 이내.

부품 번호
NAND01GR3B2CZA6E
생산 상태 (수명주기)
Contact us
제조업체 리드 타임
6-8 weeks
조건
New & Unused, Original Sealed
배송 방식
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
부품 상태
Obsolete
메모리 유형
Non-Volatile
메모리 형식
FLASH
과학 기술
FLASH - NAND
메모리 크기
1Gb (128M x 8)
클럭 주파수
-
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
25ns
액세스 시간
25ns
메모리 인터페이스
Parallel
전압 - 공급
1.7 V ~ 1.95 V
작동 온도
-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
63-TFBGA
공급 업체 장치 패키지
63-VFBGA (9.5x12)
무게
Contact us
신청
Email for details
교체 부품
NAND01GR3B2CZA6E

관련 부품 Micron Technology Inc.

관련 키워드 "NAND0"

부품 번호 제조사 기술
NAND0128W3ADAN7 STMicroelectronics NAND0128W3ADAN7 STM IC QFP
NAND016GW3C4BN6 STMicroelectronics NAND016GW3C4BN6 STM IC TSOP
NAND016W3B2AN6 STMicroelectronics NAND016W3B2AN6 STM IC TSOP
NAND016W3B2AZA6 STMicroelectronics NAND016W3B2AZA6 STM IC BGA
NAND016W3B2BN6 STMicroelectronics NAND016W3B2BN6 STM IC TSSOP
NAND016W3B2CN6 STMicroelectronics NAND016W3B2CN6 STM IC ORIGINAL
NAND01DW382AN6E STMicroelectronics NAND01DW382AN6E STM IC TSOP
NAND01G-B STMicroelectronics 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC
NAND01G-B2B STMicroelectronics 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC
NAND01G-M STMicroelectronics 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP IC
NAND01G-N STMicroelectronics 1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package IC
NAND01GA3BZA6F STMicroelectronics NAND01GA3BZA6F STM IC BGA