IRF6621TRPBF Infineon Technologies 살수 장치
제조업체 부품 번호 | IRF6621TRPBF |
---|---|
제조업체 / 브랜드 | Infineon Technologies |
사용 가능한 수량 | 119450 Pieces |
단가 | Quote by Email ([email protected]) |
간단한 설명 | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
배달 시간 | 1-2 Days |
날짜 코드 (D / C) | New |
데이터 시트 다운로드 | IRF6621TRPBF.pdf |
아래의 문의 양식을 작성해주십시오. IRF6621TRPBF 24 시간 이내.
- 부품 번호
- IRF6621TRPBF
- 생산 상태 (수명주기)
- Contact us
- 제조업체 리드 타임
- 6-8 weeks
- 조건
- New & Unused, Original Sealed
- 배송 방식
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 부품 상태
- Active
- FET 유형
- N-Channel
- 과학 기술
- MOSFET (Metal Oxide)
- 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
- 30V
- 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
- 12A (Ta), 55A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (최대) @ Id, Vgs
- 9.1 mOhm @ 12A, 10V
- Vgs (th) (최대) @ Id
- 2.25V @ 250µA
- 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
- 17.5nC @ 4.5V
- Vgs (최대)
- ±20V
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
- 1460pF @ 15V
- FET 기능
-
- 전력 발산 (최대)
- 2.2W (Ta), 42W (Tc)
- 작동 온도
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- 실장 형
- Surface Mount
- 공급 업체 장치 패키지
- DIRECTFET™ SQ
- 패키지 / 케이스
- DirectFET™ Isometric SQ
- 무게
- Contact us
- 신청
- Email for details
- 교체 부품
- IRF6621TRPBF
관련 부품 Infineon Technologies
관련 키워드 "IRF6"
부품 번호 | 제조사 | 기술 |
---|---|---|
IRF6000T00B01 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
IRF6000T00B02 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
IRF6001I | Texas Instruments (TI) | IRF6001I TI BGA IC |
IRF603FP | STMicroelectronics | IRF603FP STM IC TO-220F |
IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A |
IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A |
IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A |
IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
IRF610-613 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V IC |
IRF610-R4941 | FAIRCHILD | IRF610-R4941 FAIRCHILD IC TO220 |
IRF610-TSTU | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
IRF610/SIHF610 | VISHAY | IRF610/SIHF610 original vishay components |