제조업체 부품 번호IPD60R600P7ATMA1
제조업체 / 브랜드Infineon Technologies
사용 가능한 수량152770 Pieces
단가Quote by Email ([email protected])
간단한 설명MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
제품 카테고리트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
무연 여부 / RoHS 준수 여부Lead free / RoHS Compliant
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 IPD60R600P7ATMA1.pdf

아래의 문의 양식을 작성해주십시오. IPD60R600P7ATMA1 24 시간 이내.

부품 번호
IPD60R600P7ATMA1
생산 상태 (수명주기)
Contact us
제조업체 리드 타임
6-8 weeks
조건
New & Unused, Original Sealed
배송 방식
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 80µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
9nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
363pF @ 400V
FET 기능
-
전력 발산 (최대)
30W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
PG-TO252-3
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
무게
Contact us
신청
Email for details
교체 부품
IPD60R600P7ATMA1

관련 부품 Infineon Technologies

관련 키워드 "IPD60"

부품 번호 제조사 기술
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A
IPD600N25N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3
IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3
IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3
IPD60R180C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3
IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
IPD60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-252-3
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies CONSUMER
IPD60R1K4C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPD60R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3