製造業者識別番号VS-GB200TH120U
メーカー/ブランドVishay Semiconductor Diodes Division
利用可能な数量211130 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - モジュール
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード VS-GB200TH120U.pdf

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品番
VS-GB200TH120U
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
-
構成
Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
330A
電力 - 最大
1316W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic
3.6V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断(最大)
5mA
入力容量(Cies)@ Vce
16.9nF @ 30V
入力
Standard
NTCサーミスタ
No
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Double INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤデバイスパッケージ
Double INT-A-PAK
重量
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応用
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交換部品
VS-GB200TH120U

によって作られた関連部品 Vishay Semiconductor Diodes Division

関連キーワード "VS-G"

品番 メーカー 説明
VS-GA100NA60UP VISHAY VS-GA100NA60UP original vishay components
VS-GA200SA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 200A 500W SOT-227
VS-GA200TH60S Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
VS-GA250SA60S Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 400A SOT227
VS-GA300TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK
VS-GA400TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK
VS-GB05XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division MODULE MTP SWITCH
VS-GB100LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
VS-GB100LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
VS-GB100NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
VS-GB100TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
VS-GB100TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK