SIHB25N50E-GE3 Vishay Siliconix 配給業者
| 製造業者識別番号 | SIHB25N50E-GE3 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Vishay Siliconix |
| 利用可能な数量 | 71710 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SIHB25N50E-GE3.pdf |
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- 品番
- SIHB25N50E-GE3
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 500V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 26A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 145 mOhm @ 12A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 4V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 86nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±30V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 1980pF @ 100V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 250W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-263 (D²Pak)
- パッケージ/ケース
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- SIHB25N50E-GE3
によって作られた関連部品 Vishay Siliconix
関連キーワード "SIHB"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
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| SIHB12N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263 |
| SIHB12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
| SIHB12N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
| SIHB12N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
| SIHB12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
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