品番

SI3812DV-T1-E3

生産状況（ライフサイクル）

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メーカーリードタイム

6-8 weeks

調子

New & Unused, Original Sealed

発送方法

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

部品ステータス

Obsolete

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン - ソース間電圧（Vdss）

20V

電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On（Max）@ Id、Vgs

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs（th）（Max）@ Id

600mV @ 250µA (Min)

ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs（最大）

±12V

入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

-

FET機能

Schottky Diode (Isolated)

消費電力（最大）

830mW (Ta)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

6-TSOP

パッケージ/ケース

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

重量

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応用

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交換部品

SI3812DV-T1-E3