RQ3G100GNTB Rohm Semiconductor 配給業者
| 製造業者識別番号 | RQ3G100GNTB |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Rohm Semiconductor |
| 利用可能な数量 | 208720 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 40V 10A TSMT |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | RQ3G100GNTB.pdf |
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- 品番
- RQ3G100GNTB
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 40V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 10A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 14.3 mOhm @ 10A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2.5V @ 1mA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 8.4nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 615pF @ 20V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 2W (Ta)
- 動作温度
- 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- 8-HSMT (3.2x3)
- パッケージ/ケース
- 8-PowerVDFN
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- RQ3G100GNTB
によって作られた関連部品 Rohm Semiconductor
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関連キーワード "RQ3"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
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| RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT |
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT |
| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 |
| RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT |
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |