RQ3E180BNTB Rohm Semiconductor 配給業者
製造業者識別番号 | RQ3E180BNTB |
---|---|
メーカー/ブランド | Rohm Semiconductor |
利用可能な数量 | 197760 Pieces |
単価 | Quote by Email ([email protected]) |
簡単な説明 | MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
耐湿性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | RQ3E180BNTB.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します RQ3E180BNTB 24時間以内に。
- 品番
- RQ3E180BNTB
- 生産状況(ライフサイクル)
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
- 30V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
- 39A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On(Max)@ Id、Vgs
- 3.9 mOhm @ 18A, 10V
- Vgs(th)(Max)@ Id
- 2.5V @ 1mA
- ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
- 37nC @ 4.5V
- Vgs(最大)
- ±20V
- 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
- 3500pF @ 15V
- FET機能
-
- 消費電力(最大)
- 2W (Ta), 20W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- 8-HSMT (3.2x3)
- パッケージ/ケース
- 8-PowerVDFN
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- RQ3E180BNTB
によって作られた関連部品 Rohm Semiconductor
関連キーワード "RQ3"
品番 | メーカー | 説明 |
---|---|---|
RQ3C150BCTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT |
RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 |
RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT |
RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT |
RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 |
RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 |
RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT |
RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |