RFP2N10L ON Semiconductor 配給業者
| 製造業者識別番号 | RFP2N10L |
|---|---|
| メーカー/ブランド | ON Semiconductor |
| 利用可能な数量 | 59290 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | RFP2N10L.pdf |
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- 品番
- RFP2N10L
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Obsolete
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 100V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 1.05 Ohm @ 2A, 5V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
-
- Vgs（最大）
- ±10V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 200pF @ 25V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 25W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Through Hole
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-220AB
- パッケージ/ケース
- TO-220-3
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- RFP2N10L
によって作られた関連部品 ON Semiconductor
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| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
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| RF 1AV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL |
| RF 1B | Sanken | DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL |
| RF 1BV | Sanken | DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL |
| RF 1BV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL |
| RF-1912 | HARRIS | HF FAN DIPOLE ANTENNA IC |
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