製造業者識別番号APT60GF120JRDQ3
メーカー/ブランドMicrosemi Corporation
利用可能な数量91600 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IGBT 1200V 149A 625W SOT227
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - モジュール
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード APT60GF120JRDQ3.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します APT60GF120JRDQ3 24時間以内に。

品番
APT60GF120JRDQ3
生産状況(ライフサイクル)
Contact us
メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
NPT
構成
Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
149A
電力 - 最大
625W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic
3V @ 15V, 100A
電流 - コレクタ遮断(最大)
350µA
入力容量(Cies)@ Vce
7.08nF @ 25V
入力
Standard
NTCサーミスタ
No
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
ISOTOP
サプライヤデバイスパッケージ
ISOTOP®
重量
Contact us
応用
Email for details
交換部品
APT60GF120JRDQ3

によって作られた関連部品 Microsemi Corporation

関連キーワード "APT60"

品番 メーカー 説明
APT6017LFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
APT6030BN Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
APT6040BN Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT6040BNG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT60D100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
APT60D100LCTG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
APT60D100SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A D3
APT60D120BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247
APT60D120SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3
APT60D20BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 60A TO247
APT60D20LCTG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264
APT60D30BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 300V 60A TO247