製造業者識別番号APT60GA60JD60
メーカー/ブランドMicrosemi Corporation
利用可能な数量37720 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IGBT 600V 112A 356W SOT-227
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - モジュール
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード APT60GA60JD60.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します APT60GA60JD60 24時間以内に。

品番
APT60GA60JD60
生産状況(ライフサイクル)
Contact us
メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
PT
構成
Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
600V
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
112A
電力 - 最大
356W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic
2.5V @ 15V, 62A
電流 - コレクタ遮断(最大)
275µA
入力容量(Cies)@ Vce
8.01nF @ 25V
入力
Standard
NTCサーミスタ
No
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤデバイスパッケージ
ISOTOP®
重量
Contact us
応用
Email for details
交換部品
APT60GA60JD60

によって作られた関連部品 Microsemi Corporation

関連キーワード "APT6"

品番 メーカー 説明
APT6017LFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
APT6030BN Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
APT6040BN Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT6040BNG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT60D100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
APT60D100LCTG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
APT60D100SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A D3
APT60D120BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247
APT60D120SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3
APT60D20BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 60A TO247
APT60D20LCTG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264
APT60D30BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 300V 60A TO247