製造業者識別番号MT47H128M4CF-25E:G
メーカー/ブランドMicron Technology Inc.
利用可能な数量130660 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード MT47H128M4CF-25E:G.pdf

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品番
MT47H128M4CF-25E:G
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - DDR2
メモリー容量
512Mb (128M x 4)
クロック周波数
400MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
アクセス時間
400ps
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.9 V
動作温度
0°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
60-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
60-FBGA (8x10)
重量
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応用
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交換部品
MT47H128M4CF-25E:G

によって作られた関連部品 Micron Technology Inc.

関連キーワード "MT47H1"

品番 メーカー 説明
MT47H128M16HG-3 SAMSUNG SAMSUNG orginal components
MT47H128M16PK-25E IT:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16PK-25E IT:CTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-187E:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-187E:C TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E IT:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E IT:C TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E XIT:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA