製造業者識別番号70V3579S6BF
メーカー/ブランドIDT, Integrated Device Technology Inc
利用可能な数量100830 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード 70V3579S6BF.pdf

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品番
70V3579S6BF
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
SRAM
技術
SRAM - Dual Port, Synchronous
メモリー容量
1.125Mb (32K x 36)
クロック周波数
-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
-
アクセス時間
6ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
3.15 V ~ 3.45 V
動作温度
0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
208-LFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
208-CABGA (15x15)
重量
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応用
Email for details
交換部品
70V3579S6BF

によって作られた関連部品 IDT, Integrated Device Technology Inc

関連キーワード "70V"

品番 メーカー 説明
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70V05L15JG8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 64K PARALLEL 68PLCC
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