製造業者識別番号SPP08P06PBKSA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量164570 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード SPP08P06PBKSA1.pdf

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品番
SPP08P06PBKSA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
8.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
15nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
420pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
42W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3
重量
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応用
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交換部品
SPP08P06PBKSA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "SPP0"

品番 メーカー 説明
SPP02N60C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
SPP02N60C3XKSA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY
SPP02N60CS STMicroelectronics SPP02N60CS STM IC TO-220
SPP02N60S5HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
SPP02N80C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB
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SPP03N60C3XKSA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY
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SPP03N60S5HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
SPP03N60S5XKSA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY
SPP04N50C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB
SPP04N50C3XKSA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY