IRF9Z24NLPBF Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IRF9Z24NLPBF |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 59080 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRF9Z24NLPBF.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します IRF9Z24NLPBF 24時間以内に。
- 品番
- IRF9Z24NLPBF
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Obsolete
- FETタイプ
- P-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 55V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 175 mOhm @ 7.2A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 4V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 19nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 350pF @ 25V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 3.8W (Ta), 45W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ
- Through Hole
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-262
- パッケージ/ケース
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IRF9Z24NLPBF
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IRF9"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IRF91109A | HARRIS | IRF91109A HARRIS IC ORIGINAL |
| IRF9110T | VISHAY | IRF9110T original vishay components |
| IRF9110TF | FAIRCHILD | IRF9110TF FAIRCHILD IC TO252 |
| IRF9130 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9131 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9132 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9133 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9140 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9141 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9142 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9143 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9150 | INTERSIL | -25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET IC |