IRF6811STRPBF Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IRF6811STRPBF |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 183760 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRF6811STRPBF.pdf |
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- 品番
- IRF6811STRPBF
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 25V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 19A (Ta), 74A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 3.7 mOhm @ 19A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2.1V @ 35µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 17nC @ 4.5V
- Vgs（最大）
- ±16V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 1590pF @ 13V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 2.1W (Ta), 32W (Tc)
- 動作温度
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- DIRECTFET™ SQ
- パッケージ/ケース
- DirectFET™ Isometric SQ
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IRF6811STRPBF
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| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
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| IRF6000T00B02 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6001I | Texas Instruments （TI） | IRF6001I TI BGA IC |
| IRF603FP | STMicroelectronics | IRF603FP STM IC TO-220F |
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| IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A |
| IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A |
| IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
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