IRF6775MTRPBF Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IRF6775MTRPBF |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 196040 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRF6775MTRPBF.pdf |
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- 品番
- IRF6775MTRPBF
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 150V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 4.9A (Ta), 28A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 56 mOhm @ 5.6A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 5V @ 100µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 36nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 1411pF @ 25V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 2.8W (Ta), 89W (Tc)
- 動作温度
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- DIRECTFET™ MZ
- パッケージ/ケース
- DirectFET™ Isometric MZ
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IRF6775MTRPBF
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
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関連キーワード "IRF6"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IRF6000T00B01 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6000T00B02 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6001I | Texas Instruments （TI） | IRF6001I TI BGA IC |
| IRF603FP | STMicroelectronics | IRF603FP STM IC TO-220F |
| IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A |
| IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A |
| IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A |
| IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
| IRF610-613 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V IC |
| IRF610-R4941 | FAIRCHILD | IRF610-R4941 FAIRCHILD IC TO220 |
| IRF610-TSTU | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF610/SIHF610 | VISHAY | IRF610/SIHF610 original vishay components |