IPD65R660CFDBTMA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IPD65R660CFDBTMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 58260 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPD65R660CFDBTMA1.pdf |
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- 品番
- IPD65R660CFDBTMA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 650V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 660 mOhm @ 2.1A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 4.5V @ 200µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 22nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 615pF @ 100V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 62.5W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PG-TO252-3
- パッケージ/ケース
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IPD65R660CFDBTMA1
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関連キーワード "IPD65"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
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| IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 |
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| IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
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| IPD65R380E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 |