製造業者識別番号IPD60R520C6ATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量180000 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPD60R520C6ATMA1.pdf

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品番
IPD60R520C6ATMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Last Time Buy
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
8.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
520 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3.5V @ 230µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
23.4nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
512pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
66W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量
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応用
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交換部品
IPD60R520C6ATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPD60"

品番 メーカー 説明
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A
IPD600N25N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3
IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3
IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3
IPD60R180C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3
IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
IPD60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-252-3
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies CONSUMER
IPD60R1K4C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPD60R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3