IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IPD50R650CEATMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 214870 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPD50R650CEATMA1.pdf |
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- 品番
- IPD50R650CEATMA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Last Time Buy
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 500V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 6.1A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 13V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 650 mOhm @ 1.8A, 13V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 3.5V @ 150µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 15nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 342pF @ 100V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 69W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PG-TO252-3
- パッケージ/ケース
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IPD50R650CEATMA1
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関連キーワード "IPD50"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
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| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
| IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 |
| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 |
| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 |
| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 |
| IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 |
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| IPD50N06S2L13ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 |
| IPD50N06S2L13ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 |